堆代码网讯 在深圳举办的2026全球存储创新论坛上，三星集中展示了两款企业级SSD产品，其中就包括最高容量达256TB的BM1773，同时还首次公开了PM1763 PCIe 6.0 SSD、堆叠层数超400层的V10 NAND技术，以及面向端侧AI场景打造的zNAND-O存储方案。根据Counterpoint Research的统计，2026年第二季度三星拿下了全球NAND闪存25%的出货量份额。目前三星仍在持续面向数据中心与AI算力场景研发全新存储技术，最新一代产品全部围绕存储容量、读写速度与能效表现三大核心方向迭代。

三星BM1773 SSD：最高256TB超大容量
BM1773是一款面向数据中心场景设计的QLC SSD，采用紧凑的E3.S形态，标称容量256TB，实际可用存储空间达245.76TB。三星官方表示，这是全球同容量级下体积最小的SSD产品。

该硬盘搭载三星第九代V-NAND闪存，采用16通道PCIe 5.0架构，顺序写入速度最高可达4.5GB/s，随机写入性能最高可达50000 IOPS。相比上一代QLC SSD，它的耐用性直接翻倍，每日全盘写入次数（DWPD）达到0.6次。

三星PM1763 SSD：PCIe 6.0满血性能
PM1763是一款面向高负载AI与服务器场景打造的PCIe 6.0企业级SSD，顺序读取速度最高可达28.4GB/s，顺序写入速度最高可达21GB/s，提供3.84TB至61.44TB多档容量选择，同时支持多种形态规格。这款产品专为液冷服务器场景优化设计，同时内置全链路企业级安全特性，支持后量子密码学（PQC）、SPDM与TDISP等行业标准安全协议。

三星V10 NAND：突破400层堆叠
三星本次还正式展出了下一代NAND技术V10 BV-NAND，这也是行业首款堆叠层数突破400层的V-NAND产品。相比上一代V9 NAND，它的比特密度提升58%，I/O读写速度提升超33%，整体功耗降低25%。

该技术采用晶圆键合工艺，将存储单元与外围电路分开制造后再垂直堆叠，从底层技术层面大幅提升了存储密度。这款产品此前已于今年8月在美国FMS 2026闪存峰会上首次亮相，并拿下了当届峰会的3D NAND创新大奖。

zNAND-O：专为端侧AI设计
最后三星还发布了zNAND-O存储技术，核心目标是帮助终端设备在本地运行更大参数规模的AI模型。它的比特密度是传统DRAM的10倍，同时能提供比常规NAND闪存更快的数据访问速度。在基于Moonshot AI的Kimi K2-1T大模型的模拟测试中，搭载zNAND-O的存储方案在保持同等性能的前提下，将整体内存成本压缩至传统方案的四分之一，同时可容纳的模型体积几乎翻倍。