堆代码网讯 三星正在对其中国工厂进行产线升级，用于生产更先进的NAND闪存芯片。据报道，该公司计划在西安工厂量产286层堆叠的NAND芯片，这座工厂目前的主力产品是约200层堆叠的闪存芯片，这一动作将帮助这家韩国存储巨头重新在市场中站稳脚跟，直面中国竞争对手长鑫存储的竞争。

直面本土竞争，三星加码先进NAND产能
据路透社报道，三星正在改造位于中国西北的西安工厂，用于生产286层堆叠的V9 NAND芯片，这个内部项目代号为“Monami”，在法语中意为“我的朋友”。三星的目标是在2026年12月前实现月产5000片晶圆的产能，后续计划在2027年12月前将产能爬坡至每月4万片晶圆。西安工厂目前承担着三星全球约40%的NAND闪存出货量。三星官方已确认本次产线升级，同时表示所有操作完全符合美国出口管制相关规定。这家韩国企业同时说明，升级的核心目标是满足全球客户包括美国客户日益增长的高端存储产品需求。

本次产线升级的背景是长江存储（YMTC）在中国市场的持续强势表现。根据Omdia的统计数据，2026年第二季度长江存储以38.5%的中国NAND市场份额反超三星，登顶国内市场第一。目前长江存储的主力产品是160层与232层堆叠的NAND芯片，同时已经小批量产出294层堆叠的产品，据报道该公司后续还计划推进300层以上堆叠的NAND芯片量产。

自2022年起，三星每年都需要获得美国的专项许可，才能在中国工厂安装美国制造的芯片生产设备。2025年美国商务部曾明确表态，不会为境外芯片厂商在中国的工厂技术升级或产能扩张项目发放许可。三星表示正在和美国华盛顿方面保持密切沟通，但目前外界尚不清楚该公司实际拿到了多少张合规许可。这家企业必须在严格遵守美国相关管制规则的前提下，完成这座在其全球NAND产能布局中占据核心地位的工厂的升级工作。

与此同时，另一家韩国存储厂商SK海力士也正在升级其位于中国大连的NAND工厂，据报道该工厂计划从当前的192层NAND芯片，切换至240层及以上堆叠的新一代产品。