堆代码网讯 在AI存储需求爆发的行业背景下，三星正与晶圆制造领域的直接竞争对手台积电展开合作，共同推进英伟达定制款高带宽内存（HBM）项目。英伟达要求三星采用台积电的3nm工艺，生产这款定制HBM的底层基础裸片。

台积电3nm工艺精准匹配英伟达定制需求
上月就有行业报道传出，台积电将协助三星为其核心客户生产定制HBM产品，目前该计划已明确落地到英伟达项目。据韩国《Sedaily》报道，英伟达正联合三星、台积电共同设计这款代号为NVHBM的定制HBM的底层基础裸片。基础裸片位于HBM堆叠结构的最底层，内置控制数据传输速度的逻辑电路，直接决定整颗HBM芯片的核心性能。英伟达将原本集成在GPU内部的内存控制器转移到了这颗基础裸片上，腾出GPU内部空间容纳更多计算电路；为了实现这一设计，该裸片的物理层面积比标准HBM缩小了60%。

要在极小的裸片内容纳额外新增的功能，必须依托先进制程工艺，台积电的3nm工艺正是这一需求的最优解。行业数据显示台积电3nm工艺良率已突破90%，相比之下三星同定位的2nm SF2工艺良率仅约60%，对英伟达而言，选择台积电的工艺路线是更稳妥的方案。

产能缺口是核心驱动因素
产能供给不足是这次跨界合作更关键的推手。行业预测2027年全球HBM总需求将达到615亿吉比特，同比今年暴涨91%，但全球存储厂商的总出货量仅能达到546亿吉比特，将出现约10%的供给缺口。目前三星自有4nm工艺的HBM基础裸片产能，仅集中在华城17号线和平泽P3厂区的部分产线，完全无法覆盖NVHBM这类定制HBM的大规模出货需求；而台积电未来几年将在中国台湾、美国亚利桑那州、日本陆续新增多条3nm产线，产能储备更充足。

不过三星并未将基础裸片的生产完全交给竞争对手，目前该公司也在基于自家2nm工艺同步验证NVHBM基础裸片的生产方案。同时台积电的3nm产线还要同时服务智能手机、高性能计算芯片等多条产品线，能分配给NVHBM的产能后续也将遇到天花板。这并非两家竞争对手首次联手，早在四年前双方就曾在台积电AI芯片CoWoS封装项目上有过合作，如今全球AI存储的供给缺口，再次将这两家行业巨头推到了同一项目中。